兰花(Cymbidium)是有重要观赏价值、经济价值和文化价值的花卉。研究兰花试管花的诱导及其发生机理对缩短育种周期，快速培育兰花新品种，有效进行花期调控、深入研究成花机理等都具有重要的意义。本研究以兰花根状茎，试管苗，根状茎薄层为材料，研究了影响试管花形成和发育的因素，观察了试管花形成过程中的形态学、细胞学和生理变化，旨在建立高效稳定的兰花试管花诱导技术体系。主要研究结果如下： 1.根状茎、试管苗和根状茎薄层均能诱导出试管花。试管花的形成和发育过程可分为花芽诱导期，花芽形态建成期，开花期，谢花期四个时期。以试管苗为材料，试管花形态建成所需的时间最短，根状茎次之，根状茎薄层所需的时间最长。根状茎试管花起源于皮层，其形态建成过程可分为花序原基形成期，花序原基分化期，小花原基形成期，小花原基分化期四个时期。试管苗试管花起源于茎端或叶芽分生组织，从茎端分化出的试管花大部分都比叶芽的瘦弱。 2.培养基成分对试管花的诱导和发育有明显的影响。其中6-BA对根状茎试管花的形成起决定性作用，适宜的浓度为6～8mg·L-1；GA3抑制试管花的发育，并使试管花在发育过程中畸形；基本培养基中的氮磷比对试管花形成有重要作用；氮含量低和磷含量高且不含铵态氮的基本培养基有利于试管花的形成；蔗糖是影响试管花形成的重要因素，适宜的浓度为3％～5％。培养条件在一定程度上影响试管花的形成和发育。其中变温处理比恒温处理有利于试管花的形成，同样的温差，16～26℃处理有利减小死亡率，提高试管花平均诱导率。光照是影响试管花形成的重要因素，短日照比长日照有利于试管花的形成和发育。不同基因型材料的平均诱导率不同，小桃红×寒兰为30％，仁化白×小桃红为3.33％，企白×新娘为0％；不同长度根状茎的平均诱导率无明显差异，但随着长度的增加死亡率逐渐减小。高浓度的铵态氮有利于试管苗试管花的诱导，低浓度的铵态氮有利于试管花的发育；低糖无激素的培养基和低温有利于试管花的发育和正常开花。 以小桃红×寒兰的根状茎为材料，试管花诱导的最佳诱导培养基为MS2+6-BA10mg·L-1+Su5％，最佳诱导条件为16～26℃，8h光照，光照强度3～5μmol·m-2·s-1。30d后转接到MS2+6-BA4mg·L-1+3％Su+GA32mg·L-1培养基上，在25℃下培养，试管花诱导率为61.17％。以小桃红×寒兰的试管苗为材料，最佳诱导培养基为MS12+6-BA8mg·L-1+6％Su+TDZ0.05mg·L-1，培养条件为16～26℃，光照8h，光照强度3.2～5μmol.m-2.s-1。30d后转接到MS9+3％Su培养基上，于温度为18℃下培养，试管花诱导率和正常率分别为80％和26.7％；以仁化白×小桃红试管苗为材料的试管花诱导率和正常率分别为93.3％和43.9％，比小桃红×寒兰的高。 3.测定了根状茎试管花形成过程中的生理指标。结果表明，小桃红×寒兰根状茎在试管花诱导培养基上培养10d后，其可溶性糖和磷含量均显著高于在芽诱导和继代培养基上培养的根状茎中的含量，可溶性淀粉含量均显著低于在芽诱导和继代培养基上培养的根状茎中的含量。仁化白×小桃红的根状茎在试管花诱导培养基上培养5d后，可溶性糖的含量均显著高于在芽诱导和继代培养基上培养的根状茎中的含量，可溶性淀粉显著低于在芽诱导和继代培养基上培养的根状茎中的含量，培养20d左右的根状茎可溶性糖含量与培养10d的小桃红×寒兰的根状茎中的含量接近。仁化白×小桃红的根状茎培养20d后的磷含量逐步增加，显著高于在芽诱导和继代培养基上培养的根状茎中的含量。试管花诱导过程中，氮含量显著低于在芽诱导和继代培养基上培养的根状茎中的含量。两个杂交品种花芽分化过程中的根状茎的磷氮比呈上升趋势，小桃红×寒兰的根状茎中的磷氮比远远高于仁化白×小桃红的根状茎中的磷氮比。 通过上述研究，明确了影响兰花试管花形成的主要因素，初步探明了兰花试管花形成和发育过程中的形态学、细胞学和部分生理指标的变化，建立了兰花试管花诱导技术体系，为深入研究兰花的成花机理，加快兰花新品种选育奠定了基础。