宽带隙的化合物半导体,如氧化铟、氧化镓、氧化锌、碳化硅、氮化镓等,具有优良的物性并获得了广泛的应用.该论文对上述几种半导体材料的纳米结构的制备、形貌特征、微结构以及部分物性进行了系统研究.主要结果如下:通过简单加热铟金属颗粒,并使之与水蒸汽反应,制备了大量的氧化铟单晶纳米线.X射线衍射、电子衍射分析及电镜观察表明所合成的纳米线是立方结构的氧化铟.光致发光性能研究表明氧化铟纳米线在紫外区和蓝光区存在两个明显的光发射.同样测试条件下体相粗晶氧化铟材料的光致发光谱中并没有发现存在紫外发光现象.分析表明此紫外发射应与氧化铟纳米线存在的各种缺陷有关.通过锌与水的气相反应,合成了大量的单晶氧化锌纳米线.研究了制备的氧化锌纳米线的发光性能,结果表明在紫外、蓝和绿发光区存在三个明显的光发射,对其发光机制分别进行了讨论.通过修改制备方法,采用直接加热锌粉,并与氧气进行气相反应,得到了多种新型氧化锌纳米结构,如四足/多足纳米晶须、齿状的纳米梳以及各种形态的纳米花等.另外直接在有氧气氛下加热锌粉颗粒,制备了"海胆"状氧化锌纳米结构、氧化锌纳米丝以及定向生长的具有规则晶体外型的氧化锌纳米棒,对各种结构的形貌特征进行了详尽的观察.采用气相反应法加热并氧化锌粉,在硅衬底上合成了氧化锌/氧化硅一维纳米复合结构-纳米电缆.这种复合一维结构由作为内芯的单晶氧化锌纳米线和作为外壳层的非晶氧化硅纳米管嵌套组合而成.对此纳米电缆进行盐酸处理后,得到了氧化硅纳米管.对氧化锌/氧化硅纳米电缆生长机制的研究表明,此纳米电缆的生长过程可看作是气-液-固过程与固-液-固过程的结合,同时在此过程中,锌充当了反应物以及催化剂的双重角色.另外,该论文中还制备了数种非氧化物体系的半导体纳米结构.采用直接蒸发金属镓与氨气反应,制备了单晶的氮化镓纳米线.通过高温加热硅与氧化硅的混合粉末,与乙炔气体反应合成了碳化硅纳米线.采用制备碳化硅纳米线的类似思路,高温加热硼和氧化硼混合物并与氨气反应,得到了多壁的六方氮化硼纳米管.生长过程研究表明氧化硅和氧化硼对得到碳化硅和氮化硼一维纳米结构具有关键作用.