C波段GaN基PA MMIC的研制

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论文研究了C波段MMIC功率放大器的电路设计,内容包含:回顾MMIC技术的发展和应用,及其相对于HMIC的优势;简单描述HEMT二维电子气的形成机理,HEMT器件的小信号和主要性能参数;最后详细介绍C波段的MMIC功率放大器设计过程和工艺制作流程,并制备了性能良好的MMIC功率放大器。论文利用GaN HEMT工艺实现了一个4-12GHz单片功率放大器,该放大器采用单级放大的拓扑结构,芯片版图面积为5560μm×2290μm。工作于AB类方式,以获得最小的线性失真和最优化的输出功率。仿真得到放大器在工作频带内小信号增益为11dB以上,增益平坦度为≤1dB,输入输出电压驻波比,饱和输出功率达到30.4dBm,输入输出均匹配到50欧姆标准阻抗。得到的仿真结果表明,设计的功率放大芯片能够实现预期的设计指标。同时,通过软件仿真,验证了该设计方案的可行性的仿真设计。
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