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本论文概述了铝掺杂氧化锌(ZAO)透明导电薄膜的性能、发展状况、应用前景以及制备方法。以ZnO和Al2O3粉末材料，制备了铝掺杂质量分数为2.5％的ZAO陶瓷靶，并详细地阐述了制靶过程，通过SEM和XRD对靶材进行分析，靶材表面光滑致密，孔隙很少，结晶良好。
使用射频溅射工艺在硅基底上沉积出有优良晶格结构、电学性能和光学性能的ZAO薄膜。通过四探针测试仪测试薄膜电阻，分光光度计测量薄膜的可见光吸收光谱，XRD分析薄膜晶体结构，AFM查看薄膜表面形貌和粗糙度。探讨了射频溅射工艺中基底温度(250℃-450℃)，Ar气氛气压(0.5Pa-2.0Pa)，溅射功率(100W-200W)，溅射时间(1.5min-120min)，真空退火(300℃-450℃退火90min)对薄膜方阻、可见光吸收率、结晶状况、表面形貌的影响，总结出如下结论：
1.基底温度的影响：在400℃以前随着基底温度升高，能够有效地提高薄膜的导电性能、光学性能和晶格结构，400℃之后，性能和结构提高有所减缓，400℃-450℃可认为是最适合的基底温度。
2.Ar气氛气压的影响：方阻先随Ar气压升高而降低，到达一个最低点后，随Ar气压升高而再逐渐升高。Ar气压变化中存在一个工作点(即0.75Pa)，使得ZAO薄膜导电性能达到最佳。薄膜的光学性能和结晶情况都是随Ar气压的升高而有所改善。综合考虑，Ar气压在0.75Pa-1.0Pa之间，得到的薄膜光学和电学性能最佳。
3.溅射功率的影响：随溅射功率增加，薄膜的导电性加强、可见光吸收率下降、结晶程度优良，但变化不明显。不过由于陶瓷靶的脆性较大，所以溅射功率在100W-200W之间制得的薄膜比较理想。
4.溅射时间的影响：随溅射时间加长，方阻减小，但是可见光吸收率会增高，晶格缺陷增加。而时间过短，则基底表面还没有形成均匀薄膜，平整度低，晶粒较小，综合考虑，选择的溅射时间应该在30min-60min之间。
5.真空退火的影响：真空退火对薄膜的性能和结构都是良性影响，随着退火温度的升高，薄膜性能和结构获得明显的改善，并得到了所有实验中见光吸收率最低的，仅为9.5％。考虑到实际生产，选择的退火温度应该在400℃左右，退火时间为60min以上。