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本文以铜为催化剂,甲烷为碳源,采用化学气相沉积方法在石英单晶基底上生长水平定向单壁碳纳米管阵列,分别用扫描电子显微镜、原子力显微镜对其结构进行表征。研究了石英基底退火温度和退火时间、聚合物聚乙烯丙烯酸甲脂(PMMA)分散催化剂、催化剂形成规则的条状对定向碳纳米管阵列生长的影响。利用PMMA将定向碳纳米管阵列转移到SiO_2/Si基底上,采用微加工工艺分别在石英和SiO_2/Si基底上制作场效应器件,并利用半导体参数测试仪对器件进行了电学测试。实验结果表明,石英基底经过退火处理能提高碳纳米