晶体硅太阳能电池是目前光伏市场的主流产品。受材料和工艺的限制,晶硅太阳电池转换效率提高和成本降低的空间有限。近年来,在研究人员提出的新型结构的电池中,晶硅/非晶硅（a-Si/c-Si）光伏电池以其高转换效率的优势得到迅速发展。在a-Si/c-Si光伏电池的结构中,栅线电极处于最外层的氧化铟锡薄膜（ITO）上,目前研发中普遍采用在ITO膜上印刷低温银浆并固化的工艺制作栅线电极。低温银浆高昂的价格阻碍了a-Si/c-Si光伏电池的推广应用。针对这一问题,本文探索了用低温Sn基钎料替代低温银浆制作a-Si/c-Si光伏电池的电极的可能性,旨在不降低转换效率的前提下降低电池成本。研究内容包括:Sn基钎料Sn-58（wt%）Bi、Sn-50Bi-2Zn、Sn-37Pb、Sn-53In在熔融状态下与ITO薄膜的相互作用;Sn基钎料与及其与ITO薄膜间接触的电性能研究;Sn-58Bi浆料印刷制作ITO上栅线电极的尝试。研究结果表明:熔化的Sn基钎料能在ITO硅片表面粘附,两者相互作用而存在一定界面强度。钎料在空气中的严重氧化使其在ITO薄膜上的润湿性能较差,熔化后必须借助外力才能实现在ITO薄膜上的润湿铺展。表征发现Sn-58Bi和Sn-53In合金与ITO薄膜间的界面强度较其他组分大。界面间作用机理分析发现,钎料与ITO膜之间没有化学反应发生,没有新形成的界面层。但是原子力显微镜下,合金与ITO的作用区与非作用区域之间有显著ITO的堆积形成的轮廓,堆积高度越大,结合强度越高。电性能方面,Sn-58Bi、Sn-50Bi-2Zn、Sn-37Pb、Sn-53In的体电阻率普遍小于低温银浆,合金与ITO的接触电阻也小于低温银浆的。Sn-58Bi浆料在ITO上印刷制作栅线电极的尝试中,本研究发现Sn-58Bi粉末合金熔化后在ITO上凝结成球,最终浆料未能在ITO玻璃上形成连续的栅线电极。但在（95%N₂+5%H₂）和（99.999%Ar）气氛中,Sn-58Bi合金的成球尺寸较空气中大,显示在这两种气氛下,浆料中的粉末有更好的熔化聚合。