随着科技的快速发展,电子产品的使用范围更加广泛,人们对于电子产品性能、使用范围、使用寿命等都有了更高的要求。而封装过程对于电子产品的寿命有着直接的影响。对于大部分的封装过程,都会使用助焊剂来保证封装过程中焊料不被氧化,从而确保焊点的质量。但是,有一部分较为特殊的光电器件,如半导体激光器,助焊剂的残留物对这类光电器件有严重的影响,甚至会导致器件的失效。本文中我们着重探究了在不使用助焊剂的情况下,SnAgCu/Cu接头时效条件下微观显微组织及剪切强度的变化。结果表明,无助焊剂条件下,利用真空/氮气/甲酸气体的气氛环境,可以很好的防止氧化物产生,使SnAgCu焊料与Cu基板形成良好的接触。随着时效时间的延长,界面IMC层不断生长并且增厚。据观察150℃条件下,72 h内化合物颗粒生长速率较快,但是之后增长速率由快逐渐变慢,IMC形态逐渐由尖锐变得平坦,甚至连成一片。通过对无助焊剂条件下经历不同时效时间的SnAgCu/Cu钎焊接头进行剪切强度实验,发现SnAgCu/Cu接头剪切力强度随着时效时间的延长先小幅度提升,然后又开始有了大幅下降。通过剪切断面的扫描电镜图,发现焊后未经时效实验的剪切断面有许多细密的韧窝和毛刺,呈现典型的韧性断裂现象,而随着时效时间的延长,逐渐出现了光滑的断裂面,且面积越来越大,说明断裂性质逐渐向脆性断裂过渡。断裂面也由焊料内部向界面IMC层转移。与使用助焊剂的同等温条件下的微观组织形貌和剪切强度曲线进行对比,发现两者界面IMC颗粒均有增长的趋势,但是在不使用助焊剂的条件下,化合物颗粒在形成初期较为扁平粗大,而且剪切强度也略小于使用助焊剂的情况,在时效过程中不使用助焊剂的焊点更早出现了剪切强度下降的情况。