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对天然纤蛇纹石的矿物学特征进行了研究，首次采用电化学法在天然纤蛇纹石纳米管内组装了半导体CdS量子点。人工合成了纤蛇纹石，对照天然纤蛇纹石对人造纤蛇纹石的晶体结构及矿物学特征进行了较系统地研究。首次采用超声化学法分别对天然纤蛇纹石和人造纤蛇纹石进行了组装CdS和ZnS量子点的实验，并对组装的样品进行了一系列的测试与研究。研究结果认为：电化学沉积法的组装率较低，约1％。人造纤蛇纹石纳米管内径(约10nm)比天然纤蛇纹石纳米管(约5nm)大，平均长度约150nm，端口开放。超声化学法较电化学法组装率高，人造纤蛇纹石较天然纤蛇纹石的组装率高，最高的组装率可达30％以上。组装在纤蛇纹石纳米管内的CdS和ZnS量子点均为β型立方晶系，平均晶粒度约4nm。由于量子限域效应和纤蛇纹石引起的介电限域效应的综合影响，CdS和ZnS量子点的光吸收分别出现不同程度的蓝移和红移现象。最后，对电化学法及超声化学法的组装机理进行了阐述。