【摘 要】
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以高压器件工艺为基础的芯片在驱动IC、电源管理、开关控制方面的应用越来越广泛,高稳定工艺可以带来高良率,从而使制造成本降低。高压器件性能和良率在实际制造工艺中,主要
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以高压器件工艺为基础的芯片在驱动IC、电源管理、开关控制方面的应用越来越广泛,高稳定工艺可以带来高良率,从而使制造成本降低。高压器件性能和良率在实际制造工艺中,主要受到深阱工艺的影响,由于高能离子注入工艺锥角效应的存在,杂质浓度分布的均一性较差,从而导致高压器件的生产工艺中存在电参数特性均一性差的现象。基于良率提升和工艺稳定性提升方面的改善,本文从高能注入机的锥角结构和沟道效应方面分析,研究高压器件深阱工艺的注入角度对硅片的片内、片间和批次间均一性的影响,同时将挑选出优化的工艺条件用在芯片生产,验证产品的电参数特性的均一性和重复性,并最终提升良率。
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