随着半导体制造工艺的进步,器件的特征尺寸越来越小,静电放电(ESD, Electro-Static Discharge)已经成为集成电路中最重要的可靠性问题之一。为了有效地提高深亚微米级集成电路的ESD保护能力,改进和设计新型的ESD保护器件显得尤为重要。在对现有ESD保护器件研究的基础上,本论文重点对基于静电感应晶闸管(SITh)的新型ESD保护器件进行了较深入的研究。主要工作分为两方面,一方面是详细地分析了SITh的负阻转折特性,特别是分析了其作为ESD保护器件而赖以工作的阻断态和导通态特性,即典型的ESD Snapback特性,从理论上说明了SITh可以作为ESD保护器件。另一方面,采用传输线脉冲(TLP)测试系统对基于静电感应晶闸管(SITh)的ESD保护器件进行了测试,分析可知SITh作为ESD保护器件具有以下优点：1、器件的耐压高(≥3kV),即器件的健壮度(Robustness)为3kV;2、SITh保护器件的二次击穿电流It2较大(2A),器件能够释放较大的ESD电流；3、器件在TLP应力下的直流漏电流很小(1μA),但是要注意器件的软失效问题的存在；4、与其它ESD保护器件相比,SITh可以突破保护电压的局限,即其触发电压具有动态可调性；5、通过对SITh结构的优化,可以将保护器件响应速度控制在10ns以内,满足ESD模型放电的要求。分析与测试结果表明,该器件具有较强的ESD防护能力,可用于大功率部件或强电系统的ESD保护。