镁合金陶瓷氧化膜的制备及结构与性能表征

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本文采用微弧氧化技术在AZ31和Mg-10Gd-2Y-0.4Zr稀土镁合金表面制备微弧氧化陶瓷膜层,研究了在硅酸钠-氢氧化钠-氟化钠电解液体系中,电源参数和反应时间对两种镁合金涂层的影响。在实验过程中对两种镁合金生成的膜层厚度用涡流测厚仪、膜层的表面形貌和截面形貌用扫描电子显微镜(SEM)、膜层的相组成用X射线衍射仪(XRD)、化学组成用X射线能谱仪(EDS)分别进行了表征并对表征结果进行了分析。利用电化学方法和盐雾试验评价了两种镁合金陶瓷层的耐蚀性能,并对稀土镁合金陶瓷膜层的封闭技术进行了研究。在硅酸钠-氢氧化钠-氟化钠构成的反应体系中,变形镁合金和稀土镁合金表面都生成多孔的微弧氧化膜层,当工作电源的频率逐渐减小、施加电压逐渐增大、氧化时占空比逐渐增加、反应时间延长时所制备的膜层厚度较厚,膜层形成的微孔直径也开始变大,膜层表面光洁度降低。通过实验可知,Mg2SiO4和MgO是变形镁合金AZ31陶瓷膜层的主要晶相物质,这两种物质的比例随着得到膜层工艺参数的不同而变化。由于基体中包含稀土元素,Mg-10Gd-2Y-0.4Zr镁合金陶瓷膜层中基本上以MgO晶相为主,随着工作电源频率的逐渐减小、施加电压、氧化工作的占空比和反应时间的逐步增加而MgO晶相也随之增加。两种镁合金在相同的工艺条件下,如电源频率、施加电压、电源工作占空比和反应时间相同下,当电源频率设定为300Hz时,生成的陶瓷层内层膜层连续,并较致密,同时膜层的耐腐蚀性最好,AZ31镁合金在微弧氧化过程进行20min时,生产的陶瓷膜层中Mg2SiO4所占比例高于MgO,相比之下此时的膜层耐腐蚀性较好,稀土镁合金在微弧氧化过程中当占空比为10%时,生成的陶瓷膜层的MgO的含量相对较少,耐蚀性较好。在相同的工艺参数下,AZ31镁合金陶瓷膜的耐蚀性要好于稀土镁合金陶瓷膜,电化学测试显示AZ31镁合金的耐蚀性要比稀土镁合金陶瓷膜高1-2个数量级,盐雾试验显示AZ31镁合金陶瓷膜在合适的电源参数下能耐盐雾300小时,而稀土镁合金陶瓷膜盐雾50小时表面均出现了腐蚀点。试验表明,采用不同的有机化合物进行陶瓷膜封孔处理可以有效提高Mg-10Gd-2Y-0.4Zr稀土镁合金微弧氧化膜的耐蚀性,有机化合物封孔后陶瓷膜层耐盐雾试验能力从大到小的顺序为:陶瓷膜+三防底漆>陶瓷膜+四防底漆>陶瓷膜+过氯乙烯基锌黄底漆>陶瓷膜+锌黄环氧基底漆>陶瓷膜+硅烷偶联剂。采用高温溶解石蜡对Mg-10Gd-2Y-0.4Zr稀土镁合金氧化膜进行封孔处理后封孔处理后,可以提高了稀土镁合金微弧氧化膜的耐蚀性能,电化学测试结果表明,封孔后膜层的耐蚀性比封孔前提高了1个数量级,盐雾试验表明,石蜡封孔后抗盐雾腐蚀提高了100多小时。
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