本论文利用RBS和XRD研究了在退火前后常规磁控溅射和离化团簇束沉积Cu薄膜和Si（100）衬底之间的扩散和界面反应。利用反应扩散理论及硅化物的生长理论对实验结果进行了分析,并结合定性研究对扩散系数做了估算。本工作得到了以下几个有意义的结果:（1）.对于磁控溅射方法沉积Cu/Si（100）体系,未退火时Cu/Si之间没有扩散发生,当230℃退火时产生了明显的扩散。随着退火温度的增加,扩散更强。未退火时,没有铜硅化合物生成。230℃退火时有Cu₃Si化合物生成。随着退火温度的增加Cu₃Si一直为主要的铜硅化合物相。Cu（200）在Si（100）衬底上呈现择优生长。（2）.对于中性团簇束沉积的Cu/Si（100）体系,在未退火时就出现了明显的Cu/Si扩散。随着退火温度的升高,扩散越明显。在未退火时生成了Cu₃Si化合物,随着退火温度的增加Cu₃Si相在450℃退火时消失,转化成为Cu₁₅Si₄。（3）.对离化（Va=0kV）团簇束沉积的Cu/Si（100）体系,在未退火时有扩散发生,随着退火温度升高,扩散变强。未退火时,有化合物Cu₃Si生成;450℃退火,形成了新的化合物Cu₁₅Si₄相;500℃和600℃退火的XRD谱中Cu₁₅Si₄成为主要的Cu和Si的化合物相。（4）.离化团簇束在加速电压为Va=1kV和5kV沉积的Cu/Si（100）薄膜样品,未退火时就发生了扩散,Va=3kV时沉积的样品在退火温度500℃时才有明显的扩散发生。随着退火温度升高,扩散变强。对比Va=1kV、3kV和5kV的样品发现,在相同退火条件下Va=3kV的样品扩散最弱。Va=1kV沉积的样品在未退火时有Cu₃Si的化合物生成。Va=3kV和5kV沉积的样品,未退火和不同温度退火的XRD谱显示没有明显的Cu和Si的化合物相生成。团簇束沉积在Si（100）上形成的Cu薄膜退火后Cu（111）择优生长。