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本研究以天然海水介质中的一氧化氮为研究对象，主要进行了以下几方面的工作：（1）确定了天然海水介质中一氧化氮的测定方法——电化学法，并对修饰电极进行了确定；（2）用两种方法对工作电极进行修饰，对每一种修饰方法都确定了最佳实验条件，从几方面对这两种修饰方法进行了比较，并且与ISO-NOPMC NO微芯片传感器进行了比较。 主要研究结果如下： 一、Nafion修饰铂电极 1．首次用Nafion修饰铂电极对天然海水介质中的一氧化氮进行了测定，确定了最佳实验条件，即反应池通氮除氧30min，NO饱和溶液的制备时间为30min，富集时间是5min，电位扫描范围0.2～1.0V，并且确定了Nafion修饰电极的检出限是1μmol／L，线性范围1～76.9μmol／L，相关性良好。精密度实验显示，本方法的标准偏差为2.04×10-2，相对标准偏差0.47％。 2．用两种方法对电极进行Nafion修饰，即吸附法和直接滴加法，对吸附法确定了电极吸附Nafion的时间为7s，时间太短无峰出现，吸附5s后有氧化峰出现。直接滴加法中在电极表面滴加2μL5％的Nafion溶液时，可以最好的起到选择性膜的作用，达到对NO测定的最好效果。 3．探讨了Nafion电极的选择性，Nafion作为阳离子交换树脂覆盖在铂电极表面，能有效阻隔海水中的杂质离子如NO2-离子的干扰，从而达到对NO的良好选择性。 4．Nafion膜具有富集NO的作用，探讨了Nafion膜富集NO的机理。天然海水介质中氧化氮的电化学钡」定二、eo（sa一en）zNanon修饰电极1.首次用Co（salen）闪afion修饰铂电极对天然海水介质中的一氧化氮进行了测 定，确定了最佳实验条件，即反应池通氮除氧30min，NO饱和溶液的制备 时间为3omin，No溶液浓度在10一6mol/L时·富集时间是3min，浓度在 10一7mol/L时富集时间是7min，电位扫描范围0.2一1 .ov，并且确定了 Co（salen）肘afion修饰电极的检出限是0.1林mol/L，线性范围是0.1一9.9林mol/L， 相关性良好。精密度实验显示，本方法的标准偏差为1 .04 x 10一2，相对标准 偏差0.24%。2.用两科，方法对电极进行Co（salen）/N afion修饰，即“一步法”和“两步法”， 对“两步法”的实验条件进行了选择，即将电极表面先修饰好Nafion膜后， 再浸泡在Co（sa1en）饱和溶液中24h即可，时间再长则峰电流反而会减小。同 时，对这两种方法修饰的电极进行了比较，确定“两步法”制得的 Co（salen）加afion修饰电极稳定性好，重现性高，本实验用“两步法”修饰 Co（salen）加afion电极。3.探讨了Co（salen）在Nafion膜上的自组装以及co（sa1en）对No的催化机理， 由于Co（sa1en）是一个四配位平面型分子，平面的上面和下面的配位均空出， 而No具有很强的亲核能力，因此，Co（salen）很容易与NO形成轴向配位， 从而催化NO在电极上的氧化反应。三、Nafion修饰电极与eo（sa里en）/Nanon修饰电极的比较1.当NO溶液浓度相同时，如浓度同为4pmol/L时，Nafion修饰电极的富集 时‘IbJ为smin，而eo（salen）/N afion修饰电极的富集时间是3min，说明Co（salen） 进入到Nafion膜后，不仅对NO有催化作用，而且可以缩短NO的富集时间。2.比较了两种修饰电极的稳定性、灵敏度，通过比较得出:Co（salen）/N aflon 修饰电极稳定性好，灵敏度高，检出限低，在测试性能方面要明显优于Nafion 修饰电极，而且co（salen）加afion修饰电极的出峰电压低，显示了良好的催 化性能。中国海洋大学周眨d匕论文四、150一NopMC NO微芯片传感器与eo（sa一en）zNafion铂修饰电极 的比较1.通过比较Co（salen）/N afion铂修饰电极和150一NoPMe No微芯片‘传感器的最 低检出限和线性范围，得出xSO一NOPMe的检出限比eo（salen）/Naflol、铂修 饰电极要低，Co（salen）闪aflon铂修饰电极的检出限为0.1林mol几，而当No 浓度为10一“mol/L时，150一NoPMc No微芯片传感器仍能有响应峰出现。 Co（salen）/N afion铂修饰电极的线性范围是0.1一9.9林mol/IJ，而一50一NoPMe NO微芯片传感器的线性范围是0.1一1 .0林mol/L，相关系数均良好。2.从三个不同的浓度范围对eo（salen）zNafion铂修饰电极和150一Nol)Me No微 芯片传感器进行了比较，结果显示150一NOPMC NO微芯片传感器比 co（salen）例afion铂修饰电极在10一“mol几数量级时在测试性能方面有明显的 优越性，在10一“mol几和10一7 mol几数量级时二者基本差不多，都显示出良 好的催化性。3.比较电极的稳定性可知，150一NOPMC NO微芯片传感器的电极使用时间为6 个月，而Co（salen）加afion铂修饰电极一般使用3一4天后就有杂峰出现了卜 因此，150一NOPMC NO微芯片传感器从稳定性方面要明显优于 Co（Salen）汹aflon铂修饰电极。