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氧化物薄膜晶体(TFT)具有迁移率高、可低温制备、可大面积制备、均匀性好、透明等一系列优点,所以在全透明显示以及柔性显示领域都有着巨大的发展潜力。本论文根据某些氧化物薄膜透明度高的这一特点制备了一系列基于a-IGZO材料为沟道层的全透明TFT。论文中成功的制备了全透明TFT,并且对全透明器件的绝缘层以及电极进行了研究以及优化。本论文的具体内容如下:(1)首先对全透明器件的绝缘层进行研究。论文中采用PMMA、PVA两种材料来作为全透明器件的绝缘层,并且分别制备了不同绝缘层转速下的TFT。研究发现,旋涂法制备的PMMA、PVA薄膜表面形貌良好,但PMMA薄膜的表面形貌要更为优异,并且提高旋转速度可以提高器件的整体性能。总体上,PVA薄膜的绝缘性能要优于PMMA薄膜,但是由于PVA薄膜表面形貌稍差,所以后续的研究选择了 PMMA作为器件的绝缘层。(2)确定了PMMA绝缘层的最佳转速之后,又对器件的电极进行了一系列的研究。首先研究了 ITO、IGZO这两种薄膜在不同制备工艺下光电性能有何改变。在0%氧分压、溅射功率为125 W、溅射时间为1500 s,腔体压强为1 mTorr下制备出的ITO薄膜电阻率最低,为1.54×10-4Ω·cm;在0%氧分压、溅射功率为125 W、溅射时间为1500 s、腔体压强为1 mTorr下制备的IGZO薄膜电阻率最低。(3)确定了透明电极的最佳制备工艺之后,制备了基于IGZO以及ITO作为透明电极的全透明TFT,两种器件都展示出了一定的性能,其中基于ITO电极的全透明TFT的性能更为优异。基于ITO电极的TFT开关比为1.7×104,迁移率为6.335 cm2V-1s-1,阈值电压为0.8 V,亚阈值摆幅为1.9 V/decade。基于IGZO电极的TFT开关比为0 696×103,迁移率为4.101cm2V-1s-1,阈值电压为3.1V,亚阈值摆幅为6.4 V/decade。(4)为了提高基于IGZO透明电极的器件的整体性能,还对器件进行了退火处理,研究发现退火可以改善绝缘层与有源层之间的界面缺陷,提高载流子迁移率,退火后,器件的迁移率提高到了 6.065 cm2V-1s-1,阈值电压从3.1V下降到了 1.6V。为了进一步提高器件的性能,制备了基于复合绝缘层的全透明TFT。在原有的PMMA绝缘层之前增加了一层超薄的原子层沉积(ALD)的氧化铝,复合绝缘层器件的迁移率为5.99 cm2V-1s-1,开关比为0.87×104,阈值电压以及亚阈值摆幅分别为2.6 V和3.5 V/decade。