离子注入对YSZ和Al2O3单晶光学性能的影响

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离子注入是一种重要的表面改性技术,YSZ(yttria-stabilized cubic zirconia)和α-Al2O3是两种性能优良的陶瓷,前者是目前发现的最抗辐照的绝缘体,而后者则是抗辐照最差的绝缘体材料之一,研究重离子注入对其光学性能的影响并以此研究辐照效应,有重要的理论意义和应用价值。 本文通过光吸收、光荧光、TEM、XPS测试及TRIM 96计算分别研究了不同注量Xe+注入YSZ前后光学性能和缺陷形态变化,以及Ni+注入对不同掺杂单晶Al2O3结构和光学性能的影响,得到以下结果:(1)YSZ注量达到1016cm-2时,开始出现由F型和V型色心重叠而产生的吸收带,与X射线、中子辐照相比,重离子辐照产生了更为复杂的缺陷复合体而导致吸收峰红移。(2)注量为1016cm-2的YSZ荧光光谱为400-600nm宽发射带。1017cm-2的吸收峰(497nm)相对1016cm-2(522nm)蓝移,并且样品没有荧光现象。(3)YSZ缺陷性质随注量增加发生了明显的变化,注量为1017cm-2,有3-5nm的Xe气泡析出。1017cm-2样品峰位蓝移,是由于Xe以气泡形式析出,改变了缺陷形态、使缺陷的分立尺寸减小,纳米粒子的量子尺寸效应变得明显,导致能隙展宽。同时,缺陷浓度增大及形态改变使非辐射跃迁几率增大,导致荧光现象消失。(4)未掺杂Al2O3样品在400nm处出现了由Ni(2+)的3A23T1(F)跃迁产生的宽吸收带,其余三种掺杂样品由于Ni2+的吸收与Cr3+离子的吸收重叠,故观察不到新吸收带。注入Ni+对样品发光无明显影响。(5)注入的Xe+在距表面47nm处浓度取得最大值,离子注入使两种类型氧格点的化学环境变得相似,O1S谱的两个峰融合为一个峰。注入的Ni+离子主要以单质Ni0存在,Ni2+含量较小,空气中退火后Ni0被氧化成Ni2+。(6)1×1017cm-2 Xe+注入YSZ在30nm位置产生损伤最大值~350dpa,但仍然没有发生非晶化转变。然而相同注量的Ni+注入Al2O3在约20nm位置产生损伤最大值~320dpa,样品明显发生非晶化转变。
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