本文主要采用数值模拟方法对HL-2A托卡马克等离子体破裂期间的逃逸电子演化行为进行研究。程序所使用的物理模型包含了初级和次级两种逃逸电子产生机制,并耦合麦克斯韦方程组,采用有限差分的方法进行数值求解。利用该模型本研究主要做了以下两方面工作：第一,以HL-2A15335次放电为实验背景,对HL-2A破裂期间逃逸电子和环向电场的演化进行了模拟。模拟结果显示在等离子体破裂开始约0.15ms后有很强的环向电场被感应,持续0.15ms之后该环向电场达到最大值,但是在2.5ms内被逐渐衰减。环向电场的时空分布与JET装置有所不同。同时模拟结果也证明了逃逸电子产生于等离子体中心处的局部区域,这与实验中用软x射线照相机观察到的结果相一致,但实验中逃逸电子束出现的时间大致在7ms,而理论模拟则是在破裂之后约1ms时间内形成了逃逸电子束,其中的差异主要是由于理论模型中没有包含实验中出现的磁扰动。这是继实验观察之后首次从理论上证明了HL-2A等离子体破裂之后持续几十毫秒的平稳电流主要是逃逸电子携带的电流。研究进一步发现：欧姆电流转化为逃逸电子电流的转化率为42%,这与实验探测得到55%的结论基本吻合；尽管次级产生机制产生率远小于初级产生机制产生率,但次级产生机制的作用时间远大于初级产生机制,因此次级产生机制在逃逸电流束的形成过程当中起到了关键作用。这与实验探测得到的等离子体电流相一致。第二,由于等离子体破裂期间部分实验参数诊断的不精确,给模拟工作造成了一定的困难,本文分别模拟了不同热猝灭后的温度和不同热猝灭时间对逃逸电子产生的影响。研究发现：热猝灭后的温度越低,环向感应电场就越大,逃逸电子产生率也越大,从而产生更多的逃逸电子,使得欧姆电流转化为逃逸电流的转化率也越高；同时温度低会导致环向电场持续的时间短,从而逃逸电流也更容易达到稳态。热猝灭时间越短,引起的环向感应电场越大,逃逸电子产生也越多,但如果在实验认定的参数范围内(小于1ms)选取不同参数时,模拟结果并没有产生实质性的差异。研究结果提供了HL-2A破裂期间更详细的逃逸电子和环向电场的演化信息,可为今后精确诊断破裂期间的参数和抑制逃逸电子的产生提供理论参考。