【摘 要】
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垂直腔面发射激光器是一种新型的半导体激光器,具有低阈值、低功耗、转换效率高、发散角小等优点,使其在光通信和光互连等领域有着广泛的应用前景。在VCSEL制作工艺中,湿法氧
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垂直腔面发射激光器是一种新型的半导体激光器,具有低阈值、低功耗、转换效率高、发散角小等优点,使其在光通信和光互连等领域有着广泛的应用前景。在VCSEL制作工艺中,湿法氧化工艺已经成为制备高性能VCSEL的关键技术之一。为了更好的控制氧化孔径,本论文对湿法氧化工艺进行实验研究。在不同的温度下对已刻蚀出氧化台面的芯片进行氧化,利用扫描电镜的微区分析功能对氧化后的氧化生成物进行分析,推导出在氧化温度一定的情况下,氧化速率随时间的变化规律。针对氧化后氧化层开裂的现象进行分析,并提出了新的工艺方法解决此问题,制定出最佳的湿法氧化工艺条件。在此基础上制作出了性能良好的N面出光的980m的VCSEL单管器件。
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