【摘 要】
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随着纳米薄膜材料在现代科技领域中的广泛应用,薄膜性能的研究已经成为一个炙手可热的课题,无论是提高薄膜材料原有性能还是发展薄膜材料的新性能都与薄膜的微观结构密不可分。在薄膜生长过程中复杂的原子运动以及这些过程之间的相互作用,对薄膜的微观结构和性能有着非常重要的影响,因此从微观尺度研究薄膜的生长具有重要意义。本文将实验与模拟相结合,主要研究NiTi薄膜的微观生长结构。在模拟部分,为了确定模型的可行性,
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随着纳米薄膜材料在现代科技领域中的广泛应用,薄膜性能的研究已经成为一个炙手可热的课题,无论是提高薄膜材料原有性能还是发展薄膜材料的新性能都与薄膜的微观结构密不可分。在薄膜生长过程中复杂的原子运动以及这些过程之间的相互作用,对薄膜的微观结构和性能有着非常重要的影响,因此从微观尺度研究薄膜的生长具有重要意义。本文将实验与模拟相结合,主要研究NiTi薄膜的微观生长结构。在模拟部分,为了确定模型的可行性,首先对单质Cu薄膜在四边形基底上的三维生长过程进行模拟,研究了基底温度、沉积速率和覆盖度对Cu薄
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（100）面的金刚石膜与（111）、（110）面金刚石膜相比，具有光滑的表面、较低的应力、较高的热导率和较大的载流子收集距离等优点，研究（100）面的金刚石膜制备工艺对其在机械、热学、光学、电子学等领域的应用具有重要意义；N杂质对金刚石膜的生长特性的影响是本领域研究的热点，研究N杂质存在状态有利于改善金刚石膜的表面形貌、提高膜质量、降低应力等，并对进一步探索有效的N型掺杂半导体金刚石膜具有现实意义
近年来，通过磁控溅射制备的TiNi合金薄膜，因其具有良好的形状记忆性能，超弹性，防腐蚀性及生物相容性等特点被广泛用于微机电系统（MEMS）中，（如：微阀、微型悬臂梁及微泵等）。然而要应用TiNi薄膜的这些性能，就需要了解和研究薄膜的制备工艺、热处理条件、薄膜显微结构、相变行为及薄膜性能之间的关系。制取优良的TiNi薄膜器件对薄膜的厚度，薄膜成分均一性，附着性及缺陷等都有严格要求，通过控制溅射压强和
溅射沉积的过渡族金属碳化物和氮化物薄膜由于其优异的综合性质，如：高硬度、化学性能稳定、高熔点及高电导率，引起了人们的广泛关注。虽然目前人们对硬质过渡族金属碳化物和氮化物作为功能涂层应用的研究越来越多，但是文献中关于PVD方法制备V-C体系的微观结构和力学性能研究仍比较匮乏。在本论文中，我们采用磁控溅射方法制备了一系列VC和VC_xN_y薄膜，系统研究反应气体流量、衬底偏压以及基片温度对薄膜的微观结
研究和制备多功能性的复合氧化物薄膜，是当今社会发展和科技进步的迫切需要，复合氧化物薄膜结合了不同种材料的功能性，在诸如力、热、光、电磁等诸多领域都有广阔的应用前景，从而成为国内外科学研究的一个热点。以BaTiO_3(BTO)为代表的铁电材料具有良好的铁电、压电、热释电及非线性光学性质，在铁电存储器、红外探测器、空间光调制器、介电热辐射测量器及光学传感器等方面有重要应用，已成为国际高新技术研究领域之
随着人类科技和工业文明的迅猛发展,新型能源开发和环境保护已成为人类可持续发展战略的核心。太阳能是最具潜力的新型可再生能源,在能源领域对太阳能应用进行研究成为必然发展趋势。一种新型太阳能电池染料敏化太阳能电池(DSSC)就是利用太阳能光伏发电,具有十分广阔的研究前景。同时为了改善日益严重的环境污染问题,保护人类赖以生存的环境,各种光催化技术正在被广泛的开发利用。研究表明,不论是作为太阳能电池光阳极材
ZnO是一种宽带隙半导体(3.37eV),六方纤锌矿结构,激子束缚能为60meV,被认为是一种潜在的制作紫外和可见光电子器件的材料,例如发光二级管,激光二极管和紫外探测器。从器件角度来说,高内量子效率的材料未必会产生高外量子效率,因为大部分光被限制在了材料体内无法逸出,导致外量子效率很低。因此,如何有效地提高材料的外量子效率成为现代器件设计的一个重要问题。最近,人们发现可以利用表面等离子激元效应可
在半导体研究中,具有六方纤锌矿晶体结构的ZnO是Ⅱ-Ⅵ族宽带隙化合物半导体材料的研究热点。ZnO的晶格常数a=0.3249nm, c=0.5207nm,禁带宽度在室温下约为3.28eV,激子束缚能为60meV,可实现室温下的紫外受激发射,被认为是未来光电器件的理想材料,而实现这些器件的重要一步则是ZnO带隙调制的能带工程。通过掺杂在ZnO中引入Cd组分,形成ZnCdO合金,可实现ZnO发光波长从紫
氮化铟(InN)是一种重要的直接带隙(室温禁带宽度约为0.7eV)Ⅲ族氮化物半导体材料,与氮化镓(GaN)、氮化铝(A1N)等其它Ⅲ族氮化物半导体材料相比,InN的有效质量最小、载流子迁移率和饱和漂移速率最高,其低场迁移率可达3200cm2/V.s,峰值漂移速率可达4.3×107cm/s。这些特性使InN在高频厘米和毫米波器件应用中具有独特的优势。由于InN的带隙宽度从早期研究的1.9eV更正为目
氧化锌(ZnO)是一种宽带隙半导体材料,室温下禁带宽度为3.37eV,激子束缚能高达60meV,可以在室温或更高温度下实现激子发光,被认为是未来紫外光发射器件的理想材料。然而,经过多年努力,在ZnO基发光器件方面仍然未取得突破性发展,其根本原因是难以制备出优质的p型ZnO薄膜。本征ZnO具有的较高背景电子浓度是难以形成p型ZnO的根本原因。另外,大多数受主杂质固溶度较低,受主能级较深,缺乏合适的受
多晶硅薄膜在薄膜晶体管和太阳电池领域比传统的非晶硅薄膜有着更加优越和稳定的性能。目前多晶硅薄膜的沉积技术主要以化学气相沉积为主,而用更加安全和成本较低的普通磁控溅射技术通常很难沉积出多晶态的硅薄膜。通过辅助等离子体源可以解决普通磁控溅射制备过程中氢化硅薄膜结晶性较差的问题。我们利用电感耦合等离子体辅助中频直流脉冲磁控溅射技术在低温下成功制备出多晶硅薄膜。本文详细介绍了等离子体源辅助磁控溅射技术制备