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基于铁电场效应晶体管(FeFET)的非挥发存储器具有低功耗、高存取速度、高密度存储、抗辐射等出众的优点,被认为是最具应用前景的下一代存储器之一。本论文选取FeFET作为研究对象,主要开展了以下三个方面的工作:溶胶-凝胶法制备Bi_(4-x)Ce_xTi_3O_(12)(BCxT)铁电薄膜及性能表征;静电纺丝法制备Bi_(3.4)Ce_(0.6)Ti_3O_(12)(BCT)纳米纤维和性能表征;Pt/BCT/CeO_2/Si结构BCT薄膜FeFET和全钙钛矿BCT纳米纤维/铁电薄膜背栅结构FeFET的