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硅IGBT是目前电力电子电路中主要运用的开关器件之一,但IGBT的双极特性在限制器件的开关速度的同时也增加关断损耗。与之相比,使用宽禁带材料碳化硅制备的MOSFET具备更高的开关速度,更低的开关损耗,其高温下的工作能力也十分出众,是硅IGBT的有力竞争者。本文旨在制备耐压等级1200V的高可靠性4H-SiC MOSFET器件。首先通过理论计算和仿真验证,确定选用的外延层参数。然后利用仿真软件对平面型MOSFET的Pbase注入方案,氧化层厚度,沟道长度,JFET区宽度进行设计优化。在此之后,针对MOSFET器件击穿时栅氧化层电场较大的现象,提出一种JFET区刻槽并注入的栅氧化层加固结构。在之前平面型MOSFET基础上,对JFET注入窗口大小,刻槽深度和JFET区总体宽度进行了优化设计。最后对两款器件的仿真结果进行了对比。根据仿真结果和现有工艺条件,对设计的栅氧加固结构MOSFET进行版图设计和流片试验。对封装的样品进行测试,其测试结果表明:器件的反向耐压为1620V,比导通电阻14.3mΩ·cm2,阈值电压2.9V。VDS=800V条件下的输入电容,输出电容和反向转移电容分别为390pF,25pF,5pF。器件感性负载下的开关测试结果显示,器件的开通和关断损耗分别为0.170mJ和0.033mJ。通过调研硅基功率MOSFET可靠性标准和国外公司相关可靠性试验情况,确定可靠性试验条件。挑选性能良好的器件进行可靠性考核,考核项目包括高温栅偏（HTGB）,高温反偏（HTRB）,温度循环（TC）,稳态湿热反偏（H3TRB）。考核结果表明,器件在以上四种应力下的可靠性较高,参与考核的40颗器件（每项考核10颗）,所有器件均通过考核。论文基于国内现有SiC工艺制造平台开展了4H-SiC MOSFET器件的研制和可靠性实验,对国内碳化硅MOSFET器件的产业化的提供了一定的参考。