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薄膜太阳电池因其具有质轻、生产成本低、可被制成柔性可卷曲形状、便于大面积连续生产等突出优势,被公认是未来太阳电池发展的主要方向,并已成为国际上研究最多的太阳电池技术之一。而CuInS2(简称CIS)这种直接带隙半导体材料具有较大的吸光系数、合适的禁带宽度(1.5 eV)、禁带宽度对温度的变化不敏感、稳定性高、低毒等优势,非常适合作为薄膜太阳能电池的光吸收层材料。因此,基于CuInS2这种光吸收层材料,我们开展了以下工作：第一部分：以乙二醇为溶剂,四水合氯化铟和硫代乙酰胺为反应物,采用简易的溶