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作为热结构材料,C/C复合材料一般处于有氧服役环境,未进行抗氧化改性的C/C复合材料会在400℃左右开始逐渐氧化失效。在C/C复合材料中引入SiC,制备碳纤维增强碳-碳化硅(C/C-SiC)双基体复合材料,不仅能够改善C/C复合材料的高温抗氧化性能,还可拓展C/C复合材料的应用领域,满足工业化使用需求。本文通过聚合物浸渍裂解法(PIP)和反应熔渗法(RMI)在具有BN-SiC双界面层的低密度C/C复合材料中引入SiC陶瓷基体,制备了C/C-SiC复合材料。研究了两种方法引入SiC基体所制备C/C-SiC复合材料的致密化程度、断裂模式及显微结构,综合对比了两种方法制备的复合材料性能特点;针对PIP法制备的C/C-SiC复合材料,采用高温静态氧化方法研究了其抗氧化性能,分析不同基体组分对C/C-SiC复合材料的抗氧化性能的影响规律。实验结果表明,RMI法制备的C/C-SiC复合材料表面致密,复合材料呈脆性断裂,但SiC基体的晶粒较细。利用PIP法可制备出理论致密化程度接近于70%的C/C-SiC复合材料,复合材料呈非脆性断裂,有纤维拔出及纤维脱粘等现象。不同基体组分的C/C-SiC复合材料的致密化程度以及基体中SiC陶瓷基体的含量均会影响复合材料的力学性能。当材料致密化程度相近时,随着基体中SiC陶瓷含量的增加,复合材料力学性能增大;致密化程度对复合材料的力学性能影响程度较大。当致密化程度以及基体中SiC含量较高时,复合材料的弯曲强度可达227.9MPa。利用△T=1200℃的温度差进行热淬处理,发现材料经热冲击后弯曲强度无较大变化,材料基体中SiC含量较高的组分在经过热淬后,表现出力学性能提升的现象。在1200℃静态氧化过程中,复合材料基体中SiC含量最少的组分出现氧化现象。但在1500℃的条件下,基体中SiC含量为30wt.%和16 wt.%的复合材料内部形成了氧化物保护层,表现出较好的抗氧化性能。