【摘 要】
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该论文讨论的是90年代出现的一种新型光折变材料,半绝缘多量子阱材料(SIMQW).该论文利用半导体激光器对SIMQW平行场器件的非简并四波混频特性进行了研究,出射衍射效率达到了0
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该论文讨论的是90年代出现的一种新型光折变材料,半绝缘多量子阱材料(SIMQW).该论文利用半导体激光器对SIMQW平行场器件的非简并四波混频特性进行了研究,出射衍射效率达到了0.37%;并且在平行场器件上实现了声音信号和二维图像信号的波长转换,模拟了时间和空间的光调制器.本论文在国内首次成功地实现了SIMQW垂直场器件的运转,并对垂直场器件的非简并四波混频特性进行了研究,出射衍射效率达到了0.94%.本论文还首次采用了建立器件暂态方程的方法,讨论了方波脉冲电压作用下的垂直场器件的电吸收和衍射的瞬态过程;讨论了缓冲层电阻有限大情况下的电吸收和衍射,并且全面地讨论了GaAs/AlGaAs垂直场器件的电吸收瞬态过程.
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