随着石墨烯在实验中被成功剥离开始,因其优异的超薄导电导热性,高电子迁移率和量子霍尔效应等,像石墨烯这种层状结构的材料同样受到了越来越多的注意力。而且越来越多的二维原子层材料受到了特别的关注(如,硅烯,锗烯,锡烯,磷烯等等)。单层材料展现出了不同于体材料的电子,光学以及动力学的性质。就像V族半导体,石墨烯和锗烯,拓宽了等离子III-V族化合物的应用一样,磷烯和锡烯的发现同样拓宽了等离子IV-VI族半导体的应用。IV-VI族半导体中的SnSe具有类石墨烯的结构,这种结构表现出了特殊的性质。单层SnSe在室温下是具有斜交晶系空间点群的GeS结构,也就是扭曲的NaCl结构,是一种重要的间接带隙半导体材料。本文主要是通过DFT-PBE方法,在理论上研究了单层SnSe材料的电学性质和磁学性质,以及在单层SnSe中用III族原子(Ga,In和Tl)和V族原子(As,Sb和Bi)替代其中的金属原子Sn与用V族原子(As和Sb)和VII族原子(Br和I)替代其中的非金属原子Se后体系的电学性质和磁学性质的基本情况。并给出了清晰的图像及相关分析,从而使单层SnSe在实际中的应用有了理论方向,具有重要的实用价值。第一章,对IV-VI族半导体体材料和单层材料以及SnSe材料的简单介绍,重点介绍了SnSe的体材料和单层材料。第二章,简单的描述了第一性原理,主要对密度泛函理论中的相关概念及定理做了阐述,并对文中所用的软件包VASP与计算模型和参数的设置做了简单的介绍。第三章,对SnSe体材料和单层材料的电子性质和磁学性质做了简单的研究,对比了体材料和单层材料的相关性质。第四章,在单层SnSe的前提下,用五族原子As,Sb与Bi和三族原子Ga,In和Tl原子分别替代Sn原子,研究了掺杂体系的电学性质和磁学性质,并对六种原子掺杂后的结果进行了对比,做出了相应的解释。第五章,以单层SnSe为基础,用七族元素Br,I和五族元素As,Sb原子先后取代Se原子,同样对其掺杂体系的电学性质和磁学性质做了相应的研究,以及对比了掺杂后四种体系的不同,同样分析了出现的差别。第六章,全文总结。对单层SnSe中的Sn原子和Se原子分别用不同的元素进行掺杂。对掺杂后各个体系的电学性质和磁学性质进行了简单的分析说明。