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该文对液封直拉(LEC)半绝缘(SI)GaAs体单晶材料的化学计算量比、位错、 As沉淀、电阻率、迁移率和亚表面加工损伤层等方面进行了研究,并初步探讨了衬底材料均匀性和离子注入MESFET阈值电压均匀性的关系.
多步退火工艺对LECSICaAs材料结构和电学参数影响的研究
【摘 要】
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该文对液封直拉(LEC)半绝缘(SI)GaAs体单晶材料的化学计算量比、位错、 As沉淀、电阻率、迁移率和亚表面加工损伤层等方面进行了研究,并初步探讨了衬底材料均匀性和离子注入M
【机 构】
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北京有色金属研究总院
【出 处】
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北京有色金属研究总院
【发表日期】
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2000年期
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