Cu掺杂ZnO薄膜的制备及光学性能研究

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【摘要】

：

ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族直接带隙宽带半导体,室温禁带宽度约为3.37eV,激子束缚能高达60meV。在大气条件下,ZnO具有六方纤锌矿结构。作为新一代的宽带半导体材料,ZnO具有优异的光学、电学及压电特性,在发光二极管、光探测器、电致荧光器件、透明导电薄膜、表面声波器等诸多领域有着广泛的应用。本文采用射频磁控溅射方法在玻璃和硅(100)衬底上制备了不同氧分压的Cu掺杂ZnO(ZnO:Cu)薄膜。利用X

【作者】

：

陶亚明

【机构】

：

西北师范大学

【发表日期】

：

2011年05期

【关键词】

：

ZnO:Cu薄膜磁控溅射光学特性氧分压

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