AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)由于其二维电子气(2DEG)浓度较高、迁移率大、易集成以及化学性能稳定等优点，在现代生化检测领域有着广泛的应用前景。本论文从当前AlGaN/GaNHEMT生物传感器因在传感区域沉积金膜而影响灵敏度的问题出发，提出了无栅的AlGaN/GaNHEMT生物传感器的研究，并就传感器的制作工艺、传感器传感区域的表面修饰及性能测试进行了研究。　　 具体的研究内容包括:　　 1.论文在分析无栅AlGaN/GaNHEMT生物传感器的结构及工作原理的基础上，通过理论分析传感器的源漏电流、跨导与传感区域结构尺寸之间的关系，结合工艺的可行性，设计了传感器的结构参数。　　 2.设计了一块合适无栅生物传感器的光刻掩模板版图，开发了一套满足其需求的最优工艺路线并给出工艺参数，通过对AlGaN/GaNHEMT传感器传感区域进行表面修饰、PDMS封装以及引线键合等工作，最终得到了该生物传感器的原型器件。　　 表面修饰是传感器制作过程中的关键工作，论文采用APTES分子对传感器传感区域进行了表面修饰，并且采用了接触角测量仪和静电吸附金颗粒法对其进行了初步表征，初步的实验结果表明，APTES分子已经成功键合在器件传感区域。　　 封装是器件制作的另一步重要工艺，实验结果表明，当把PDMS和器件均利用紫外臭氧机处理30分钟时，二者之间的键合效果最佳。　　 3.对传感器的基本性能进行了测量，器件欧姆接触的比接触电阻率为7.82×10-5Ω·cm2，同时，器件的源漏电流与源漏间距成反比，与源漏宽度成正比。在室温下，对不同浓度的山羊免疫球蛋白G(IgG)进行测量，初步测量的结果显示，该传感器对山羊IgG的探测极限在10-10g/ml，从而证明该传感器在医疗卫生、环境监测等领域具有广阔的应用前景。