智能功率模块（Intelligent Power Module,IPM）将分立器件和驱动、检测、保护等电路集成到同一个封装体内,在中小功率变频电机的控制系统中扮演重要角色。随着电子产品向着微型化、模块化的方向不断发展,以及环保理念的不断深入,单芯片集成IPM功率器件和驱动、检测、保护电路制造在同一片芯片上,使整个系统实现微型化和低功耗。SOI LIGBT以输入阻抗高,驱动电路简单,导通压降小,承受电流大,抗寄生串扰能力强的优点,成为单芯片集成IPM中最核心的器件之一,进而单芯片集成IPM的仿真设计也需要精确的器件模型的支持。阳极短路LIGBT的提出是为了抑制拖尾电流,减小关断损耗,阳极端引入的N+区使器件在工作时存在LDMOS单极模式到IGBT双极模式的转换过程,这使得一般的LIGBT模型并不适用于该类型器件。本文以阳极短路SOI LIGBT为研究对象,详细分析其结构特点与工作原理,建立适用于电路仿真的SPICE宏模型。首先建立静态模型,针对改进的阳极短路SOI LIGBT器件结构提出方案一的等效电路宏模型,对其适当简化后可得到适用于一般阳极短路结构的方案二模型,模型中考虑了自热效应并也给出两种方案,一种使用RC网络子电路来模拟器件中功率损耗造成的温度变化,一种仅使用压控电阻来模拟自热效应导致的电流下降,前者物理意义明确但结构相对复杂,后者简单但无物理意义。分析模型中参数意义,制定合理的参数提取方案,通过拟合常温和高低温的实测数据提取模型参数,最终拟合结果平均误差不超过5%,最大误差不超过10%。然后建立动态模型,一方面端口寄生电容会对端口电压的变化有延迟作用,一方面存储在基区的非平衡载流子会产生拖尾电流,基于此,分别建立端口电容模型和拖尾电流模型,其中拖尾电流模型通过存储电荷子电路来实现,使用阻性负载下的开关测试波形验证模型精度,最终结果误差不超过8%。