金属离子掺杂对ZnO晶体生长和性能的影响

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【摘要】

：

本文采用水热法,以3mol·L-1KOH作为矿化剂,填充度为35%,温度为430℃,在前驱物ZnO或自制Zn(OH)2中添加一定量Mn、Co磁性过渡族金属离子和Sn、In、Cu离子共掺杂,反应24小时合成各种掺杂的ZnO晶体。实验发现,反应溶液中加入碱土金属离子Mg、Ca可以有效控制ZnO的c轴极性生长速度,使合成的晶体大面积显露正负极面,有利于减少晶体缺陷,提高结晶质量。溶液中In离子不仅可以改

【作者】

：

王伟伟

【机构】

：

河北大学

【发表日期】

：

2007年06期

【关键词】

：

ZnO晶体水热合成稀磁半导体极性生长磁性

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