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无催化剂制备氧化锌纳米线及其光电器件性能的研究

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【摘要】

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氧化锌(ZnO)是一种具有较大激子结合能(60meV)的直接宽带隙(3.4eV,室温下)的II-VI族半导体,特别是其纳米结构已经引起了全球的关注。响应速度和光暗电流开关比是基于氧化锌(ZnO)纳米线(Nanowire,NW)的紫外光电探测器的两个关键指标。在这里,我们发现ZnO NW紫外光电探测器的响应速度和光暗电流开关比可以通过调整由无催化剂化学气相沉积工艺生长的ZnO纳米线的结构和密度来优化

【作者】

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【机构】

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长春理工大学

【发表日期】

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2018年03期

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氧化锌(ZnO)是一种具有较大激子结合能(60meV)的直接宽带隙(3.4eV,室温下)的II-VI族半导体,特别是其纳米结构已经引起了全球的关注。响应速度和光暗电流开关比是基于氧化锌(ZnO)纳米线(Nanowire,NW)的紫外光电探测器的两个关键指标。在这里,我们发现ZnO NW紫外光电探测器的响应速度和光暗电流开关比可以通过调整由无催化剂化学气相沉积工艺生长的ZnO纳米线的结构和密度来优化。ZnO NW紫外光电探测器的最佳性能的获取可以在3分钟(相比于之前最后恒温的30分钟)的生长时间内实现

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