由于高压器件有很多区别于标准MOS器件的特点，BSIM3模型用于VLSI中高压轻掺杂漏MOS器件(HVLDMOS)的模型存在不足。本论文主旨是对VLSI中HVLDMOS进行建模和参数提取的研究，针对高压器件区别于标准MOS器件的物理效应，论文通过以下三部分的工作对高压器件的建模和参数提取进行新的探索。 　　论文工作首先对标准BSIM3V3模型的参数进行提取和优化，分别提取单个器件的独立模型参数及器件组的统一模型参数。 　　针对高压轻掺杂漏器件具有的源、漏电阻不对称，且与工作电压成非线性依赖关系的特点，提出第一种新的高压器件的模拟方法。在标准BSIM3V3模型基础上，不改变模型方程，考虑高压器件的特殊结构通过对模型中三个重要参数的物理意义和取值进行重新的定义，以表示高压器件的这些特点。新的模拟方法使用参数提取软件BSIMPro提取了该模型的参数，模拟结果和实验数据进行一系列的拟和，两者符合很好，证明了这种建模方法的可行性。 　　本论文又进一步模拟器件在较高工作电压下出现的负阻效应，该负阻效应在BSIM3V3模型中也没有涉及和更好的描述。论文提出通过子电路(sub-circuit)的方法建立高压器件的模型，由一个完整的电路(BLACK-BOX)，其包括一个普通MOS器件、一个结场效应(JFET)器件、电流源、电压源及电容电阻等组件，BLACK-BOX可以对高压器件的负阻效应、温度效应等内在的特性进行成功的模拟。论文还根据不同的工艺和实际测量数据，对电路中各元件的参数进行提取和优化，进而验证了模型的有效性与准确性。 　　论文最后在BLACK-BOX基础上对沟道宽度相同而长度不同的一组高压器件建立一套统一的模型，得到很好的结果。对高压器件建模的发展作出了新的尝试。