在这篇论文中我们描述了一个计算从单晶表面重组脱附分子动能分布和角分布的新模型。用这个模型，我们分析了从Cu(111)铜单晶表面脱附分子韵动能分布和角分布。用计算脱附分子动能分布的计算拟合参数，我们得到脱附过程中释放到氮分子的能量分布，分布的范围从2.0eV至6.0eV，释放到脱附氮分子的平均能量大约是4.0eV。而用密度函数理论计算的氮在清洁Cu(111)面上的吸附能垒大约是6.0eV。根据细节平衡原理，在脱附过程中释放的能量应该等于吸附能垒，对于密度函数理论计算的吸附能垒与脱附过程中释放的能量差异有两种可能的解释。第一种解释是在表面重组脱附过程中，脱附分子会选择能垒较低的途径，也就是说脱附事件优先发生在表面缺陷或台阶处，脱附地方发生在表面平台处的概率相对较低。因此，我们可以认为在计算的能量释放分布图高端(6.0ev)对 应从平台处脱附，低端(2.0ev)对应从表面缺陷或台阶处脱附。另一种解释是密度函数理论计算的吸附能垒是氮分子在清洁Cu(111)的吸附能垒，而脱附不是发生在清洁的表面上。脱附的表面已经有一些吸附的氮原子，这些吸附的氮原子对吸附能垒有显著影响。如果一个氮分子从清洁的Cu(111)表面脱附，那么在脱附过程中释放的能量应该近似等于计算的吸附能垒。 振动激发的分子的动能分布与振动基态的分子的分布差别很小，因此对于N<,2>/Cu(111)体系，振动激发态对吸附能垒的影响不显著。另外，在脱附过程中，吸附能垒不仅会沿垂直于表面方向释放能量，而且沿平行于表面方向也会释放能量。