【摘 要】
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二维过渡金属硫化物二硫化钼(MoS2)是一种低维度宽带隙的半导体材料。单层的MoS2具有直接带隙(1.8ev)结构,适于构筑具有低静态功耗,高开关比特点的场效应晶体管。本论文采用
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二维过渡金属硫化物二硫化钼(MoS2)是一种低维度宽带隙的半导体材料。单层的MoS2具有直接带隙(1.8ev)结构,适于构筑具有低静态功耗,高开关比特点的场效应晶体管。本论文采用“自上而下”的微机械剥离法制备单层或几层的类石墨烯二硫化钼纳米片,并对目标样品进行了拉曼光谱表征。利用光刻微加工、热蒸发镀膜等工艺,构筑了基于单层或多层MoS2纳米片的“金/MoS2纳米片/金”结构的半导体器件。利用2602源测系统结合LabVIEW编程语言实现了对MoS2薄膜器件在不同条件下的电输运性能的测试。取得的主要进展如下：1.通过微机械剥离法,成功剥离出单层MoS2样品。运用光刻微加工技术,成功构筑基于单层MoS2的半导体光电器件。2.用不同波长的激光照射MoS2纳米薄膜器件,发现MoS2具有优异的光敏特性。在蓝紫光照射下电流变化最大,绿光次之,红光最小,而且导电能力都瞬间增加了4个数量级。3.构筑了基于单层MoS2场效应晶体管,并研究了H2O分子吸附对MoS2场效应晶体管输运性能的影响。实验结果表明随着相对湿度增加,器件的导电性、开启电压和关断电压都相应增加。
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