【摘 要】
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ZnO是一种新型宽禁带n型半导体材料，具有直接带隙能带结构（室温下Eg=3.37eV），对应于近紫外光波段。同时，ZnO还就有较高激子束缚能（室温下为60meV），其激子在室温下可以稳定的存在，具备了发蓝光和近紫外光的优越条件。因此，ZnO材料在短波长光电器件方面有着巨大的潜在应用。另一方面，ZnO还具有丰富的纳米结构，包括纳米点、纳米线、纳米管、纳米带、纳米环等，当材料为纳米尺度时，会因量子尺寸
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ZnO是一种新型宽禁带n型半导体材料，具有直接带隙能带结构（室温下Eg=3.37eV），对应于近紫外光波段。同时，ZnO还就有较高激子束缚能（室温下为60meV），其激子在室温下可以稳定的存在，具备了发蓝光和近紫外光的优越条件。因此，ZnO材料在短波长光电器件方面有着巨大的潜在应用。另一方面，ZnO还具有丰富的纳米结构，包括纳米点、纳米线、纳米管、纳米带、纳米环等，当材料为纳米尺度时，会因量子尺寸效应、宏观量子隧道效应、表面效应、小尺寸效应等出现新颖的光电性能。ZnO作为一种重要的光催化剂，是极少数
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