论文部分内容阅读
随着现代放疗技术及计算机、分子生物学等相关学科的快速发展，肿瘤疗效逐步提高，脑等晚反应组织的放射损伤越来越受重视，因而有必要采用动物实验及分子病理学手段，深入研究放射性脑损伤的发病机理和早期症状(学习记忆力损伤)，以及活血化瘀中药的防治作用，为此我们设计并完成了学习记忆力放射损伤规律、脑室管膜下区细胞凋亡及相关基因表达、中药防治放射性脑损伤及分子机理三个实验，介绍如下： 实验一 目的 研究照射后鼠学习记忆力损伤变化规律。方法 硫喷妥钠麻醉后，采用直线加速器10MeV电子线照射136只4-6周龄昆明鼠全脑，四组动物分别给予20Gy、10Gy、5Gy、0Gy，照射后第1、2、3、4、5天和第14、28、56、84天采用跳台法测定鼠的学习记忆力。结果 照射后第2、3、56天20Gy组鼠受电击次数分别为(1±0.3)次、(0.9±0.6)次和(1.4±1.0)次，与对照组差异均有非常显著性；照射后第2、3、56天20Gy组受电击潜伏期分别为(64±87)秒、(92±78)秒(与对照组差异均有非常显著性)和164±88秒(与对照组差异有显著性)；照射后第2天20Gy组受电击鼠构成比为6／9，与对照组相比差异有显著性。20Gy组学习记忆力损伤最重，10Gy组次之，5Gy组与对照组相比差异无显著性。结论 照射后鼠学习记忆力损伤的规律是第2、3天学习记忆