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SiC作为一种优秀的微电子材料,以其禁带宽、饱和电子漂移速度大、临界雪崩击穿电场高和热导高的特点,在大功率、高频、耐高温、抗辐射器件及光电子集成器件方面具有重要的应用价值而备受重视。稀磁半导体在自旋电子器件潜在的应用,已经引起人们浓厚的研究兴趣。SiC以其比Si大的禁代宽度和高的击穿场,在电子器件应用占有一席之地。到目前为止,关于过渡金属掺杂SiC的磁性报道还很少。最近,理论上预言了Cr掺杂SiC稀磁半导体的居里温度能够超过室温。SiC薄膜,不同Cr掺杂的SiC薄膜分别由射频磁控溅射和双离