21世纪信息技术的飞速发展使得人们对数据存储的需求越来越高,其中存储密度、读写速度、功耗、寿命以及价格是人们关心的主要因素。传统闪存技术在持续微缩到20nm以下节点后面临一系列技术限制和理论极限,已难以满足更高密度的存储要求。通过引入和利用新材料、新结构、新原理和新集成方法探索具有更好微缩能力及更高集成密度的新型存储技术成为存储器发展的关键。在多种新型非易失存储器中,阻变随机存储器(RRAM)自身具有功耗低、速度快、抗辐照、缩放性好、工艺简单、与CMOS工艺兼容等优点,具有较大优势。RRAM性能及机理研究已经有广泛报道,鉴于其与CMOS工艺优异的兼容性,本论文研究了氧化硅基Ag/SiO_X/P-Si结构的RRAM器件的制备与性能,研究内容包括安全、低温、高性能SiO_X薄膜的制备以及基于Ag/SiO_X/P-Si结构的RRAM器件的工作机理的研究。本论文首先回顾了阻变存储器的发展历程及其特点,综述了SiO_X的制备、性能及其应用。利用正硅酸乙酯(TEOS)作为气源,采用热丝化学气相沉积(HWCVD)技术实现了SiO_X薄膜的低温沉积。通过对薄膜组分、生长速率以及折射率等特性的表征,分析了工艺参数对SiO_X薄膜质量的影响,然后制备了基于Ag/SiOx/P-Si结构的RRAM器件,通过其I-V特性的测试与分析,研究了其工作机理。测试结果表明:衬底温度升高,SiO_X薄膜的沉积速率加快、折射率下降,SiO_X薄膜致密性下降,薄膜结构变得疏松。以衬底温度为300℃制备的SiO_X薄膜为基础制备的RRAM器件表现出了很好的双极阻变开关特性,此温度下沉积的氧化硅薄膜中碳氢键、碳氧键的浓度减少,薄膜中缺陷态密度降低,绝缘性能提高,从而使得RRAM器件表现出阻变特性。以衬底温度为200℃和250℃制备的SiO_X薄膜为基础制备的RRAM器件没有表现出典型的开关特性,此时,薄膜中存在大量的碳氢键、碳氧键等,导致氧化层中存在大量的缺陷态,这些缺陷态捕获载流子后,会使薄膜的导电性大大增强,以其为介质层的三层结构没有表现出RRAM特性。