太空环境中存在着多种辐射效应，其中单粒子效应是影响航天器电子系统正常运行最主要的可靠性问题之一。随着工艺尺寸的不断缩小，数字组合逻辑电路中单粒子效应（也就是单粒子瞬态效应）引起的软错误越来越多，逐渐成为总软错误的主要来源。SOI(Silicion On Insulate)工艺由于实现了完全的介质隔离，具有可靠性高、速度快、功耗低等优势，已广泛应用于航天电子系统中。因此研究SOI工艺下数字组合逻辑电路中的单粒子效应具有重要的意义。　　本研究主要内容包括：⑴调研了单粒子瞬态效应的产生、传播、捕获模型以及测试逻辑电路敏感性的方法，分析了各模型的优点与不足。重点讨论了SOI工艺下MOS(Metal OxideSemiconductor)器件中载流子的收集机制，SET脉冲在传播过程中的电气掩蔽效应和锁存掩蔽效应。⑵提出了一种新的表征组合逻辑电路中逻辑门敏感性的方法。该方法通过综合考虑不同输入下逻辑门的敏感面积和逻辑掩蔽系数，得到逻辑电路中各逻辑门的敏感性。将各逻辑门的敏感性进行排序，针对敏感性高的逻辑门进行加固，可以提高电路的抗单粒子能力。同时，将故障检测中的二进制位图法与该方法结合，可以简化其在运算过程中的复杂度。⑶通过三维器件仿真以及脉冲激光模拟单粒子平台，研究了不同因素对NMOS管和CMOS反相器中产生的单粒子瞬态脉冲的影响。通过仿真和实验结果分析，得出反相器中单粒子瞬态脉冲宽度增加主要是由高温使补偿晶体管载流子迁移率减小引起的。