随着工艺节点的不断缩小，目前市场上的主流存储器NAND Flash面临越来越多的可靠性问题。器件之间电容耦合问题日益严重，浮栅的电荷存储能力也在退化，同时，器件的可循环次数也在减少。随着物联网，工业信息化的不断推进，可能需要种类更多的存储器。MRAM，PRAM相继被提出，最近几年，RRAM也得到了广泛的关注。由于RRAM结构简单，与标准的逻辑CMOS工艺深度兼容，编程和擦除速度快，可循环次数多，便于三维集成，因此被学术界和产业界寄予厚望。传统的RRAM是基于原子组成的细丝的断裂和连接，面临着转变参数不统一的问题，最近，一种基于纯电子效应的RRAM被提出，这种存储器基于金属绝缘体转变，被称为MottMemory。但是这种器件的转变机理和性能尚未得到广泛的研究。　　本研究主要内容包括：⑴提出了基于界面肖特基注入的阻变机制。借助第一性原理的计算，我们计算了SiO2∶Pt薄膜的能带，计算发现高掺杂的薄膜其中形成了一个杂质带。根据所计算的能带结构，提出来基于界面肖特基注入的阻变机制，成功解释了器件的转变电压极性和器件上下电极功函数之间的关系，成功解释了在上下电极相同时，器件所表现出的两类不同的阻变特性（分别失效在高阻态和低阻态）。为了探究器件的导电机制，对器件的I-V曲线进行了肖特基(Schottky)发射和FN隧穿的导电机制拟合。拟合发现，在低压区，肖特基发射的拟合效果较好;在高压区，FN隧穿机制的拟合效果较好，同时发现，电子所面临的势垒不是电极金属和SiO2的功函数差，而更可能是杂质带和电极金属的功函数差。⑵在三维结构上制备和测试了器件的性能。在三维结构上制备了Pt/SiO2∶ Pt/TiN器件，发现器件确实具有很好的转变参数一致性，并且具有自限流的特性。对器件进行循环测试，发现器件的低阻态随着循环次数的增加，电阻逐渐增加。在器件失效后，加一个宽范围的扫描电压，器件可以恢复阻变性能。器件放置一段时间后，彻底失去原先的阻变性能，研究发现可能是由于TiN氧化，在界面形成了TiO2氧化层所致。同时研究了器件的C-V特性，对器件所表现出来的负电容和过电容现象做了初步的讨论，并归因子器件的暂态电流。