近年来，随着UVLED技术的进一步发展，其以广泛的应用优势涉及到了生活的各个领域，特别是在半导体照明领域，对于提高紫外LED的光效和亮度的研究仍然很重要，本文介绍了提高LED内外量子效率的一些有效手段，最后就P型层对于LED发光效率的影响进行了详细的研究。通过表征手段X射线衍射、光致荧光谱分析了不同生长参数下外延片的质量及光致发光波长等方面的差异，对于经过常规LED正装工艺制成的芯片，采用EL表征了器件的发光特性。本文具体对于紫外LED的P型结构的研究，是通过P型AlGaN电子阻挡层的厚度及Al组分的优化，在Al组分为0.2，厚度达到12.5nm左右的时候，认为电子阻挡层不仅抑制了量子阱中位错的延伸，使得外延片的质量提高，而且还有效的抑制了电流的溢出，达到了提高光效的目的，对于P型GaN层的优化，采取TMGa流量、CP2Mg流量的改变来优化其厚度和生长速率，在TMGa流量为30sccm，CP2Mg流量为170sccm时，进一步提高了LED的亮度。