低辐射薄膜的热稳定性能具有重要的理论意义和实用价值，但尚未得到系统地研究和表征。本文以化学气相沉积法制备的掺杂F的SnO₂（FTO）低辐射薄膜和磁控溅射法制备的Ag基低辐射薄膜为研究对象，分别在马弗炉和钢化炉中进行后期高温处理，采用X射线衍射仪、场发射扫描电镜、原子力显微镜、紫外-可见分光光度计和综合物理性能测试系统研究了其结构、形貌、光电性质的温度和时间效应。采用显微拉曼光谱仪研究了FTO薄膜的室温光致发光机理。通过X光电子能谱分析了薄膜中元素的分布情况，探讨了薄膜电学性能的恶化机理。主要研究结果如下：具有SnO₂:F/SiO_xCy膜系结构的FTO低辐射薄膜具有良好的高温热稳定性，最高耐热温度为600℃，最长耐热时间为15min，当超过此条件时，光电性能恶化。FTO薄膜内部的主要组成为非化学计量比的SnO_2-x:F（x≈0.8⁰.9），是金红石结构的多晶SnO₂，以（200）晶面为最明显的择优取向。在325⁶50nm之间，FTO薄膜的室温PL谱明显地分为三个区域，紫外发光峰是激发态下电子空穴对的复合发光。385.20nm处的发光峰与取代位置的氟相关，409.33nm和441.69nm处的发光峰分别与带一个正电荷的氧空位VO和带两个正电荷的氧空位VO相关。蓝绿色发光峰与表面态、结构缺陷等相关。薄膜内部[O]/[Sn]比受高温钢化的影响较小，对导电性恶化的贡献较小。随钢化温度的升高和时间的延长，薄膜表层缺乏状态氧的相对含量逐渐降低，FTO和SiO_xCy阻挡层之间的界面扩散层中Si-O键相对含量逐渐增加，这一变化趋势与电阻率的升高一致。与玻璃/TiO₂/ZnO/Ag/NiCrO_x/SnO₂/Si₃N₄膜层结构的Ag基薄膜相比，在功能层Ag层下面预先沉积1.1nm NiCrO_x和12nm Si₃N₄得到的具有玻璃/Si₃N₄/TiO₂/NiCrO_x/ZnO/Ag/NiCrO_x/SnO₂/Si₃N₄膜层结构的改良型Ag基薄膜的热稳定性可提高至600℃，在温度为60±1℃，相对湿度为90±2%条件下进行水雾处理后，改良型Ag基薄膜的耐水性可提高至17天。Ag基薄膜是由结晶的Ag层以及无定形的其他膜层组成，当热处理温度高于600℃时，Ag层的择优取向由（111）晶面向（220）晶面转换。改良型Ag基薄膜在675±25℃钢化炉中钢化6min后，Ag中出现少量的Ag2O。在Ag层以下的NiCrO_x膜层中，与氧成键的CrI与无定形CrII的相对含量由钢化前的0.62增大到钢化后的0.74，说明Ag层的氧化是底层氧的扩散所致。钢化6min后，功能层Ag层致密度和结晶度的提高对于改善电阻率起到很大的促进作用。