有机光敏场效应管由于低成本、制造温度低、易于加工、柔性等特点而受到广泛关注,是未来半导体器件的发展方向,但是有机光敏场效应管的接触电阻较大,成为限制其性能提高的重要因素。对于有机光敏场效应管接触电阻的研究显得很重要,本论文选用两种接触结构来研究有机光敏场效应管的接触电阻,分别是底栅底接触和底栅顶接触。研究底栅顶接触有机光敏场效应管源/漏接触长度与接触电阻之间的关系,并探究了源/漏接触长度对器件光敏特性的影响,接触电阻的获取。与之相对应,也研究底栅底接触源/漏电极厚度对器件接触电阻的影响,接触电阻的获取,以及源/漏电极厚度对器件光敏特性的影响。1 对于底栅顶接触结构的并五苯有机光敏场效应管,研究接触长度对器件光电特性的影响和接触电阻的获取。结果表明,在黑暗和光照下,器件的漏极电流随着接触长度的增加而增大,并趋于饱和,饱和接触长度为1.2 mm。通过分析源/漏电极下电场的分布及其对电荷传输所造成的影响,对这一变化规律进行了数值模拟。通过制备不同沟道长度的器件,研究了接触电阻,结果表明接触电阻随着栅压增大而减小,在栅压为-40 V时,接触电阻为8.41×107W。2 对于底栅底接触结构的并五苯有机光敏场效应管,研究不同半导体薄膜的厚度和不同电极厚度对器件性能和光敏特性的影响。结果表明,接触电阻随着电极厚度和栅压的增加而减小。对于有机半导体薄膜的厚度对器件性能和光敏特性的影响进行了研究,结果表明,接触电阻随着并五苯厚度的增加而减小。器件的光响应度随着并五苯层的厚度而增大(在25 nm~55 nm的范围)。