随着微电子产品市场的不断扩大,人们对现代电子产品提出了更高的要求,实现小型化、低能耗、多功能和高集成是未来电子产品的目标。从封装角度出发,三维系统级封装是唯一的解决方案,采用埋入式结构的封装方法是三维封装的一种很好的解决方法。本文旨在将一种绿色、高性能的电子制造及封装技术——逆序加成电子封装技术引入电子封装中,以实现快速、经济、高可靠性的三维系统级封装。该工艺可以完成高密度封装。它不采用焊料,整个过程在较低的温度下完成。本文所提出的工艺首先将多芯片采用环氧树脂包封起来,在引脚处打孔露出芯片上的焊点,完成后在表面进行金属化处理,使得孔内金属化和形成导线。完成一层布线后可在布线层上放置需要的有源和无源器件,再均匀涂覆高分子材料使其内埋,形成绝缘层,此时因布线拉开焊点间距,可利用激光在绝缘层上打孔,使露出焊点;完成后即又可进行镀铜及布线操作。周而复始直至完成所有叠层操作,实现三维系统级封装。本文对逆序加成工艺的技术路线进行了详细的方案论证,提出了芯片贴装的方法、芯片涂覆材料的选择和涂覆方法、微孔形成的方法、微孔金属化的方法以及加成法存在的问题。本文通过半加成法和加成法两种方法制作了两种工艺原型,并优化了其中的一些工艺。最后采用导电银浆做导线的加成法制作了可供展示的工艺模型。本文最后对加成工艺的结构在恒定温度场下做了热-结构耦合场模拟。数值模拟表明,金属引线与芯片焊点的接触点和引线的拐角处是应力集中的地方。并采用正交设计的方法对加成工艺的结构进行了优化,优化结果表明在一定的范围内降低涂覆层的厚度和提高导线的厚度可以有效的降低等效应力值。