带隙基准电路广泛地应用于模拟，数字和混合信号系统当中，为其提供一个准确的基准电压，它已经成为各种电路中不可或缺的重要模块。近年来，随着电池供电产品（如手机，笔记本电脑等）的发展，其对低电源电压的要求也逐步提高，作为电路核心模块的基准电路更是被要求能工作在1V以下的电源电压下。电流叠加模式带隙基准结构的提出，很好地解决了低电源电压的问题。同时，由于数据转化精度的不断提高，对带隙基准温度稳定性的要求与日俱增，各种温度补偿技术被提了出来。这些技术在提高温度稳定性的同时却增大了电路的复杂性和设计的难度。　　 本文提出了一种新型的温度补偿技术，该技术的关键是利用具有高阶温度特性的电流对VBE进行线性化。这种补偿技术既可应用于传统的电压叠加模式带隙基准结构，也可应用于电流叠加模式带隙基准结构，因此可以在1V的电源电压下实现。采用0.35um的标准CMOS工艺设计，仿真结果表明，在-40℃-120C内，温度系数仅为14ppm/℃。