近年来，Al掺杂的ZnO（ZAO）透明导电氧化物薄膜，以其价格低廉、无毒性、在氢等离子气氛中性质稳定等优势，而受到研究者的广泛关注，已经成为替代昂贵的ITO首选材料和当前透明导电薄膜领域的研究热点之一。本文以ZnO粉末和Al（NO3）3·9H2O为主要原料，经过大气气氛中烧结制备ZAO陶瓷靶材,用直流磁控溅射工艺在纯氩气气氛中沉积ZAO薄膜，系统研究了Al掺杂量和烧结温度对ZAO陶瓷靶材物理性能以及微观形貌的影响，研究了溅射温度和溅射电流对薄膜结构及光电性能的影响。主要研究结果如下：1、随着Al掺杂量的增加ZAO靶材的电阻率先降低后升高。当Al:Zn原子比为3:97时,靶材电阻率最低，靶材的致密度随着烧结温度的升高而升高。当烧结温度达到1300℃后，Al与周围的Zn、O原子共同作用生成ZnAl2O4，从而导致ZAO陶瓷靶材的电阻率升高，烧结温度越高生成的ZnAl2O4越多。当Al:Zn原子比为3:97，烧结温度为1400℃时，ZAO靶材的电阻率最低，达2.5×10－2Ω·㎝。2、随着衬底温度的升高，玻璃衬底ZAO薄膜的电阻率先下降后升高，可见光透过率先升高后下降。通过ZAO薄膜XRD谱计算，发现薄膜内存在着压应力，随着衬底温度的升高，应力得到释放。当衬底温度为300℃，溅射电流为200mA，溅射气压为0.6Pa时，薄膜性能最佳，电阻率1.7×103cm，可见光透过率90%，禁带宽度3.67eV，乌尔巴赫能量0.312eV，电子色散能7.869eV，折射率最稳定。3、在低温下溅射柔性衬底ZAO薄膜。溅射电流是影响薄膜特性的重要因素，实验表明，溅射电流的提高会降低薄膜电阻率。当溅射电流达到120mA时，PMMA衬底ZAO薄膜电阻率为5.7×10-2Ω·cm,PC衬底ZAO薄膜电阻率为4.75×10-2Ω·cm。当溅射电流超过120mA时，柔性衬底的温度升高到97℃以上，柔性衬底发生变形。所有柔性衬底ZAO薄膜的可见光透过率均大于77.4%。