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随着MEMS技术的发展,封装在整个MEMS器件中的成本占据越来越大的比例。而MEMS真空封装一直是MEMS封装中的难点。我国目前仍然没有掌握MEMS真空封装的核心技术,无法真正实现MEMS器件的真空封装。基于上述原因,国家863计划批准了我中心申请的项目“低成本、高性能真空熔焊封装关键技术与装备的研究”,希望突破MEMS真空封装关键技术。要进行真空封装,首先需要测量MEMS器件小体积内的真空度。本文提出了利用现有的石英晶振的谐振电阻随环境真空度变化而变化的原理来实现MEMS器件的真空度测量。并对各种影响真空度测量的因数进行了研究。研究了粗检漏和细检漏两种检测MEMS器件泄漏率的方法,并对真空封装的器件进行泄漏率的检测。对比了国内外真空封装采用的方法,针对我国的实际情况,采用了熔焊封装来实现器件级的MEMS真空封装。在自主研制的真空熔焊封装设备的基础上,本文首先对现有的金属封装壳体进行工艺研究。在对其进行理论分析和真空封装后的器件的长时间真空度跟踪实验中可以发现,现有的金属外壳封装后无法实现长时间的真空度保持。为了实现长时间可靠的真空度保持,本文设计了专用的MEMS真空封装外壳,并进行了大量的真空封装实验。研究了外壳金属镀层对真空封装的影响,提出了合适的金属镀层厚度和材料。并进行了大批量的真空封装实验,成品率在90%以上。对其真空封装后的壳体进行了强度试验。提出了真空封装的标准工艺。在理论上计算了两种真空封装外壳泄漏率以及真空度的保持时间。通过理论计算与实际测量给出了真空封装的MEMS器件的理论寿命。对一批真空封装的器件进行了加速实验,得出了真空度保持的时间。两种不同的计算方法给出的理论寿命相差不大,说明MEMS器件的长时间真空保持的可能性。