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氧化锌是一种重要的功能材料和新型的 II-VI 族宽禁带隙(3.37 eV)半导体材料。具有较大的激子束缚能(60 meV),可实现室温下的紫外受激辐射。因此,氧化锌是一种很有前途的紫外光电子器件材料,极具开发和应用价值。特别是 ZnO薄膜紫外激射的发现,使它成为国内外在半导体材料研究中的新热点。 由于 ZnO 单晶生长困难、价格昂贵、尺寸小(仅有 1 cm3大小的单晶),难以满足各种应用的需要,因此对各种 ZnO 薄膜制备技术的研究和开发成为 ZnO 材料及器件应用研究的一个重要方向。目前,比较好