基于IBSD法制备Fe-Ga-Al-Y磁致伸缩薄膜及其性能研究

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本文采用离子束溅射沉积(IBSD)法,在铍青铜衬底上分别制备了 Fe-Ga-Al-Y MF(magnetostrictive film)和 Fe-Ga-Al-Y/TbDy-Fe 多层膜。对不同磁场环境下制备的Fe-Ga-Al-YMF进行了 200℃真空退火处理。借助SEM、AFM、能谱仪、XRD衍射仪、纳米压痕仪分别对薄膜样品的表面形貌、三维形貌、成分、组织结构以及杨氏模量进行了测试与分析;通过磁力显微镜、静态磁伸特性测试系统、亥姆霍兹动态幅-频特性测试系统、交变梯度磁强计分别对薄膜样品的磁畴结构、静态磁伸性能、动态幅-频特性以及软磁特性进行了测试与研究。研究结果表明:1、通过IBSD法制备的薄膜样品,表面光滑平整、高低起伏小,最大高度差只有15.8nm,组织结构均匀致密、无明显缺陷;薄膜均为晶态结构;Fe-Ga-Al-Y MF 的成分为 Fe74.34-79.33Ga11.45-13.73Al5.33-6.95Y3.27-4.36;杨氏模量为 163.5GPa。薄膜的磁对比度比较低,且薄膜中磁矩(磁畴)主要分布在薄膜面内。2、成膜时所添加的稳恒磁场能调控薄膜的易磁化方向,薄膜的易磁化轴与成膜时所施加的稳恒磁场的方向一样;随着磁场的增加,薄膜面内的矫顽力增大,软磁性能降低。成膜时施加与衬底短轴方向平行的稳恒磁场可以显著改善Fe-Ga-Al-YMF磁伸性能,且随着磁场的增大,薄膜的饱和磁伸系数提高,但是低场磁敏性略有降低。不同磁场环境下制备的Fe-Ga-Al-Y MF经200℃真空退火处理,薄膜的饱和磁伸系数略有降低,但矫顽力大幅度下降,软磁性能得到改善。3、不同组合的Fe-Ga-Al-Y/TbDy-Fe多层膜的饱和磁伸性能均优于Fe-Ga-Al-YMF。当多层膜总厚度不变时,不同组合的多层膜存在着最佳的组合方式,获得的最大饱和磁伸性能约为单层膜的3倍,且随着TbDy-Fe层厚度的减小,薄膜的饱和磁致伸缩系数呈现出增大的趋势。多层膜面内(沿着x轴方向、y轴方向)的矫顽力均大于Fe-Ga-Al-Y MF,目.随着TbDy-Fe层厚度的增加,薄膜面内矫顽力逐渐增大,软磁性能有所降低。4、成膜时随着外加磁场的增大,Fe-Ga-Al-Y MF的共振振幅值变化不大,但是其共振频率逐渐减小。在不同组合的多层膜中,随着Fe-Ga-Al-Y层厚度的增加,薄膜的共振频率先增大后减小。5、与成膜时外加磁场且成膜后真空退火处理技术相比,纳米复合技术更有利于Fe-Ga-Al-YMF综合磁致伸缩性能的改善。
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