论文部分内容阅读
该文用磁控溅射技术制备了非晶Si/SiO<,2>超晶格(α-Si/SiO<,2>),并采用多种光 谱测量手段对其光性质进行了系统研究.首次采用单光束Z扫描技术研究了α-Si/SiO<,2>超晶格结构的非线性光学性质.此外,对半导体量子点子带间的光跃迁过程进行了理论研究.该文所得的结果对于硅基纳米材料在光电子器件中的应用具有重要意义.