本论文首先叙述了半导体器件的电噪声特性,然后介绍了半导体器件低频电噪声测量常用的方法,改进了半导体器件电噪声测试系统。在此基础上开展了噪声用于器件可靠性检测方面的研究。对半导体激光器进行电导数、低频电噪声测量和电老化测试后,发现器件在一定的老化电流条件下会发生退火效应。在加速电老化的条件下,研究了激光器中出现的g-r噪声和爆破噪声产生的原因,发现它们是器件退化的明显标志。将小波变换引入对器件的噪声分析和可靠性评价中,它可以对噪声信号的时域曲线进行多尺度分析,为器件的可靠性评价提供了新的途径。对采用不同终端技术生产的双极晶体管进行直流电参数和电噪声测试,发现采用覆盖结构的终端技术可以控制器件的表面漏电流,降低器件的电噪声,提高器件的可靠性。以上研究结果对进一步了解器件的噪声特性以及提高噪声用于器件可靠性检测的准确率有重要意义。